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多晶硅中石墨检测设备
多晶硅中石墨检测设备
行业标准《硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定doc
2018年1月12日 由于对多晶硅用石墨制品只有物理方面的相关技术指标及检测方法，对于杂质含量的技术指标及检测方法暂无，为避免石墨制品中杂质对多晶硅品质的影响，故对石墨件中杂 2024年8月11日 本文件规定了多晶硅生产用石墨制品表面杂质中钠、镁、铝、钾、钙、铬、铁、镍、铜、锌、砷、 铅、锰、硼、磷等元素的电感耦合等离子体发射光谱仪测定方法。 本文件 多晶硅生产用石墨制品表面杂质含量的测定 电感耦合等离子体 本标准适用于多晶硅用石墨制品中13种元素的测定，可满足多晶硅用高纯石墨的检测。 测定范围：电感耦合等离子体发射光谱法具有测定下限低、多元素测定、测定范围广等特点，可完成多 行业标准《硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定百度文库使用短波红外相机可以清晰的检测到多晶硅中的碳杂质，具体如下图所示，测试过程中使用西安立鼎光电的LDSWCCL短波红外相机，搭配8mm短波红外镜头，配合卤素光源观察硅锭中的杂质。短波红外相机在硅锭杂质检测中的应用2018年1月11日 由于对多晶硅用石墨制品只有物理方面的相关技术指标及检测方法，对于杂质含量的技术指标及检测方法暂无，为避免石墨制品中杂质对多晶硅品质的影响，故对石墨件中杂 行业标准《硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定 道客巴巴2025年3月10日 本文系统解析多晶硅检测的核心项目、方法及行业标准（SEMI、GB、ASTM），涵盖原料纯度、晶体缺陷及电学性能评估，提供全流程技术指南。 一、核心检测项 多晶硅检测【CMA/CNAS认证】中科光析科学技术研究所
多晶硅生产用石墨制品表面杂质含量的测定 电感耦合等离子体
2023年11月20日 在改良西门子法生产多晶硅过程中，还原工序使用到大量石墨制品，比如石墨底座、石墨帽、卡瓣等，其中石墨底座、石墨帽在还原炉中，起到导电、给多晶硅棒提供支撑的 多晶硅生产中的分析检测(学员版)（7）分析线对分析的含量范围内要有较高的浓度灵敏度，也就是说随含量的变化，谱线的相对强度要有显著的变化，且工作曲线成直线。多晶硅生产中的分析检测(学员版) 百度文库2022年3月26日 本发明的技术方案，通过以上4个方面的技术，可减少多晶硅中碳含量至010ppma以下，将检测过程的影响降低到最低水平，使检测结果充分体现出多晶硅料中实际的碳含量。一种多晶硅中碳含量的检测方法与流程第二节 多晶硅生产设备 1 多晶硅生产设备简介 多晶硅成套生产设备包括还原炉、塔类、换热类、活化氢预热炉、混合器预热炉、氢化反应器等。多晶硅设备的主要装置如下。（1）氢气制备装置。如图 36 所示，一般用高纯水电解制氢，可 知乎盐选 第二节 多晶硅生产设备2022年8月31日 34目前的多晶硅检测中，以下是常见的导致新问题的场景，以及为解决新问题而采用的对应解决措施的处理方案： 35场景一、电子级多晶硅表金属杂质的检测标准方法中前处理的问题 36目前国内电子级多晶硅表金属杂质 一种多晶硅基表面金属元素杂质检测的系统及方法与 2009年1月7日 检测范围包括超净区域空气中阴离子，金属元素、非金属元素有机化合物等 ※ 半导体行业晶圆和多晶硅检测 检测范围包括晶圆表面各种金属和非金属检测，多晶硅中杂质成分检测等。 检测周期 样品检测周期为5个工作日，可根据客户需要提供加急服务。电子级化学试剂检测
行业标准《硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定 道客巴巴
2018年1月11日 行业标准《硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定电感耦合等离子体发射光谱法》（送审稿）编制说明一、工作简况1、项目背景和立项意义半导体行业的发展与石墨材料在半导体材料制造中的应用是紧密联系的。在半导体行业中，直拉单晶炉的加热系统大量采用高纯石墨材料；在半导体硅片加工 2017年8月10日 33 石墨在多晶硅铸锭炉中的应用 多晶硅铸锭炉中,多个组件需要石墨材料。 特别是加热器中使用的加热材料和隔热材料,是目前重要的配套材料,因此高纯石墨材料的发展推动了多晶硅铸锭生产工艺的进一步发展。 331 加热器中使用的加热材料石墨材料在光伏行业中的应用2021年10月9日 ——多晶硅中碳含量测试按GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法或GB/T 35306 硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅里叶变换红外光谱法的规定进行。 ——多晶硅中氧含量测试按GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法或国家标准《电子级多晶硅》 编制说明（预审稿）2024年10月28日 三、多晶硅设备 多晶硅生产的多种技术路线，按照反应器的不同，可分为钟罩式反应器和流化床反应器(FBR)。 其中钟罩式反应器用于制备棒状多品硅，流化床反应器则用于制备粒状多晶硅。 1、改良西门子法设备 还原炉是改良西门子法多晶硅生产的核心设备新品种上市前瞻“硅言片语”系列二：多晶硅工艺与设备2021年10月9日 65 多晶硅基体金属杂质含量测试按GB/T 37049的规定进行。 66 多晶硅表面金属杂质含量的测试按 GB/T 24582的规定进行。 67 多晶硅导电类型检验按GB/T 1550的规定进行。 68 多晶硅电阻率检验按GB/T 1551的规定进行。 69 多晶硅中氧含量测试按GB/T中华人民共和国国家标准2020年5月31日 检测方法要使用低温红外光谱法，还要控制好实验室环境、检测设备 要求出发，结合某工程实验室的实践工作，从样棒的选取、样品的处理、处理后样品的分析检测等方面系统分析了多晶硅中碳含量的影响因素及控制要点，得出以下 结论：（1 多晶硅产品碳含量影响因素及质量控制研究 豆丁网
多晶硅检测检测机构丨中析研究所「分析检测中心」第三
2022年8月25日 第三方多晶硅检测机构北京中科光析科学技术研究所科研分析中心可进行多晶硅太阳能板、低温多晶硅、多晶硅组件、电子级多晶硅、多晶硅料、多晶硅电池、光伏多晶硅、多晶硅铸锭等多晶硅检测，作为综合性研究所检测中心，旗下实验室拥有CMA检测资质，检测设备齐全，数据科学可靠，715个 2018年1月12日 标准主要内容分析 21 标准题目的确定 本标准的题目完全能够高度概括标准主旨和中心，能够反映出作为多晶硅用高纯石墨制品中杂质含量的测定分析方法标准的作用。 22 范围 本标准适用于多晶硅用石墨制品中13种元素的测定，可满足多晶硅用高纯石墨的检测。行业标准《硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定doc3真空系统中的油脂和密封材料中的易挥发碳化物；4多晶硅制造气氛中的碳氢化合物污染；5石墨部件与氧，石英坩埚反应的产物。 使用短波红外相机可以清晰的检测到多晶硅中的碳杂质，具体如下图所示，测试过程中使用西安立鼎光电 短波红外相机在硅锭杂质检测中的应用2016年8月30日 冶金法制备太阳能级多晶硅所用石墨坩埚含有不同类型的金属杂质， 这些杂质通常会降低硅锭的电阻率和少子寿命等电学性能。本文研究了坩埚表面改性对冶金法多晶硅电阻率和少子寿命的影响。通过在不同冷凝速率条件下， 对工业硅原料在改性前后的坩埚内提纯。石墨坩埚对多晶硅电学性能的影响多晶炉热场又称多晶硅铸锭炉，合理的热场结构以及的石墨热场零部件出炉的晶体满足客户的需求，多晶炉热场石墨件的选择也是值得斟酌。多晶硅铸锭炉是一种硅重熔设备，用于生产大量合格的太阳能级多晶硅铸锭。多晶炉热场 – 信瑞达石墨碳杂质对多晶硅半导体性能影响很大，必须严格控制多晶硅中的碳杂质。在生产多晶硅的整个过程中，碳元素在不同工序之间移动，并由不同原料引入产品。为了有效控制多晶硅产品中的碳元素，即控制所有原料中的碳元素，消除甲基杂质，通过选择与冲击设备相浅谈多晶硅生产中碳杂质的分布和去除 百度文库
半导体工艺设备之单晶炉 电子工程专辑 EE Times China
2021年8月8日 半导体工艺设备为半导体大规模制造提供制造基础。摩尔定律，给电子业描绘的前景，必将是未来半导体器件的集成化、微型化程度更高，功能更强大。这里先介绍半导体工艺的头道工序——单晶体拉胚的单晶炉。单晶炉单晶炉2025年4月1日 在等离子体蚀刻处理过程中，等离子体反应室的部件表面会暴露在等离子体蚀刻气体中，被腐蚀，造成污染。而石墨在离子轰击或等离子等极限工作条件下，不易受腐蚀，可用于等离子蚀刻设备部件，如石墨电极。 5、柔性石墨箔高纯度石墨在半导体制造中的应用 艾邦半导体网2023年2月10日 其中磷掺杂方式，包括磷扩、离子注入；PECVD 路线中，SiO2、掺杂多晶硅层均由 PECVD 设备完成；在PVD路线中，SiO2层由PECVD 完成，掺杂多晶硅层由 PVD TOPCon设备专题报告：规模量产，PECVD成为主流工艺2020年12月7日 摘要:为改善多晶硅片在管式PECVD 设备中的镀膜均匀性，主要从镀膜工艺参数的设定、硅片制绒面反射率及石墨舟状态这3 个方面进行了镀膜均匀性研究。结果表明：在保证良率的前提下，当外层压力为1700 mTorr、内层氮硅比为4487、射频功率为 管式PECVD 镀膜均匀性改善 摘要:为改善多晶硅片在管式 2016年3月26日 石墨炉蒸发系统(ETV) 加入到传统ICP–MS 中，研究出一种 新的检测方法，既能检测多晶硅中 的杂质元素，又能检测多 晶硅表面的杂质元素，可以同时快速检测多晶硅中的8 种杂 质元素，检测限都低于02 ng／g。Buldini 等 [31] 研究比较了 晶体硅材料中杂质元素分析方法研究进展 豆丁网2024年10月9日 TOPCon电池工艺一般为：先正面制绒、硼扩，再进行背面隧穿层、掺杂多晶硅层制备，之后再正面 Al 2 O 3 膜层制备、正反面SiNx膜制备，最后金属化。 与PERC时代时工艺路线之争相似，TOPCon工艺路线同样存在诸多 TOPCon电池重要技术之一：LPCVD工艺介绍 艾邦
多晶硅检测项目整理 百家号
2024年8月7日 多晶硅的检测项目涵盖了化学成分、物理性能和晶体结构等多个方面。通过这些检测，能够确保多晶硅在不同应用领域中的可靠性和效率。对多晶硅进行严格的检测不仅是保证产品质量的必要手段，也是满足光伏和半导体行业高标准要求的关键步骤。2020年4月5日 参考文献：[1]王蓉，钼锑抗分光光度法测定税制中总磷显色温度及时间对结果的影响，环境科学导刊[J]，2018（06）多晶硅产品中碳含量影响因素分析及控制童孟（陕西煤田地质化验测试有限公司，陕西 西安 ）摘 要：随着科技的进步，对硅器件的品质多晶硅产品中碳含量影响因素分析及控制 道客巴巴2020年8月4日 这种是石墨棒顶部加热的加热器。图中加热器材质为高纯度石墨材质，连接也采用的是石墨螺丝。 多晶炉装料方式根据炉子不同，有顶部装料和底部装料两种，顶装料，装料时炉盖平推移出；底部装料，装料时炉底下降。顶部装料 炉底装料的设备光伏晶体技术多晶技术 知乎2024年8月11日 多晶硅生产用石墨制品表面杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法及编制说明pdf,ICS 77040 CCS H 17 YS 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T XXXXXXXX 多晶硅生产用石墨制品表面杂质含量的测 定 电感耦合等离子体发射光谱法 Graphite products for多晶硅生产用石墨制品表面杂质含量的测定 电感耦合等离子体 2022年8月19日 常用的半导体行业设备 1单晶炉 单晶炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶硅的设备。在实际生产单晶硅过程中，它扮演着控制硅晶体的温度和质量的关键作用。常见的半导体工艺设备 知乎2022年11月15日 电子级多晶硅、金属杂质、微控数显电热板、电感耦合等离子体质谱仪 本实验在千级洁净室进行，避免样品处理和检测过程中测试环境的洁净度对检出限和测试结果的影响。电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 labtechgroup
多晶硅异常料的分析及解决办法 艾邦光伏网
2024年10月9日 26 石墨件清洁的改善降低异常料的产生 石墨座放置在电极头上的导电介质，在CVD运行中石墨座凹槽中会附着一层黄色的聚合物质，这种物质的存在影响了石墨的导电性能，极易发生石墨件与电极头之间的打火现象，电极头受损，异常料生成。第二节 多晶硅生产设备 1 多晶硅生产设备简介 多晶硅成套生产设备包括还原炉、塔类、换热类、活化氢预热炉、混合器预热炉、氢化反应器等。多晶硅设备的主要装置如下。（1）氢气制备装置。如图 36 所示，一般用高纯水电解制氢，可 知乎盐选 第二节 多晶硅生产设备2022年8月31日 34目前的多晶硅检测中，以下是常见的导致新问题的场景，以及为解决新问题而采用的对应解决措施的处理方案： 35场景一、电子级多晶硅表金属杂质的检测标准方法中前处理的问题 36目前国内电子级多晶硅表金属杂质 一种多晶硅基表面金属元素杂质检测的系统及方法与 2009年1月7日 检测范围包括超净区域空气中阴离子，金属元素、非金属元素有机化合物等 ※ 半导体行业晶圆和多晶硅检测 检测范围包括晶圆表面各种金属和非金属检测，多晶硅中杂质成分检测等。 检测周期 样品检测周期为5个工作日，可根据客户需要提供加急服务。电子级化学试剂检测2018年1月11日 行业标准《硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定电感耦合等离子体发射光谱法》（送审稿）编制说明一、工作简况1、项目背景和立项意义半导体行业的发展与石墨材料在半导体材料制造中的应用是紧密联系的。在半导体行业中，直拉单晶炉的加热系统大量采用高纯石墨材料；在半导体硅片加工 行业标准《硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定 道客巴巴2017年8月10日 33 石墨在多晶硅铸锭炉中的应用 多晶硅铸锭炉中,多个组件需要石墨材料。 特别是加热器中使用的加热材料和隔热材料,是目前重要的配套材料,因此高纯石墨材料的发展推动了多晶硅铸锭生产工艺的进一步发展。 331 加热器中使用的加热材料石墨材料在光伏行业中的应用
国家标准《电子级多晶硅》 编制说明（预审稿）
2021年10月9日 ——多晶硅中碳含量测试按GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法或GB/T 35306 硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅里叶变换红外光谱法的规定进行。 ——多晶硅中氧含量测试按GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法或2024年10月28日 三、多晶硅设备 多晶硅生产的多种技术路线，按照反应器的不同，可分为钟罩式反应器和流化床反应器(FBR)。 其中钟罩式反应器用于制备棒状多品硅，流化床反应器则用于制备粒状多晶硅。 1、改良西门子法设备 还原炉是改良西门子法多晶硅生产的核心设备新品种上市前瞻“硅言片语”系列二：多晶硅工艺与设备2021年10月9日 65 多晶硅基体金属杂质含量测试按GB/T 37049的规定进行。 66 多晶硅表面金属杂质含量的测试按 GB/T 24582的规定进行。 67 多晶硅导电类型检验按GB/T 1550的规定进行。 68 多晶硅电阻率检验按GB/T 1551的规定进行。 69 多晶硅中氧含量测试按GB/T中华人民共和国国家标准2020年5月31日 检测方法要使用低温红外光谱法，还要控制好实验室环境、检测设备 要求出发，结合某工程实验室的实践工作，从样棒的选取、样品的处理、处理后样品的分析检测等方面系统分析了多晶硅中碳含量的影响因素及控制要点，得出以下 结论：（1 多晶硅产品碳含量影响因素及质量控制研究 豆丁网2022年8月25日 第三方多晶硅检测机构北京中科光析科学技术研究所科研分析中心可进行多晶硅太阳能板、低温多晶硅、多晶硅组件、电子级多晶硅、多晶硅料、多晶硅电池、光伏多晶硅、多晶硅铸锭等多晶硅检测，作为综合性研究所检测中心，旗下实验室拥有CMA检测资质，检测设备齐全，数据科学可靠，715个 多晶硅检测检测机构丨中析研究所「分析检测中心」第三