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一种电沉积硅的方法张士宪
一种电沉积硅的方法张士宪
CNA 一种电沉积硅的方法 Google Patents
2007年5月29日 本发明涉及一种电沉积方法，特别是在熔盐体系中电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域。 硅具有优异的物理化学及半导体性能 (熔点高，硬度大，热稳定性好，禁带宽度 摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。 特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质， 一种电沉积硅的方法[发明专利]百度文库2020年8月25日 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法。背景技术： 面对化石能源的日渐枯竭及其对环境的污染，探索和开发利用可持续新能源就显得尤为重要。一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法 2019年9月27日 项目详情：一种调控高温熔盐中电化学沉积硅择优取向生长方法及装置，属于高温熔盐中电化学沉积硅领域。该方法以冶金硅为阳极，阴极材料为阴极，以氟硅酸盐和碱金属 CN86 调控高温熔盐中电化学沉积硅择优取向 2022年4月13日 技术实现要素： 4本发明的目的是提供一种电沉积硅薄膜的方法，不仅能够解决四氯化硅污染环境、增加企业生产成本的问题，而且还能够解决传统方法电沉积硅薄膜所需温 一种电沉积硅薄膜的方法与流程2008年3月14日 本发明涉及包含电介质材料的硅的形成中改进的空隙填充沉积,其公开了一种用于在形成于衬底上的沟槽中形成电介质材料的化学气相沉积方法,其中,所述方法包括将氢气和氧 在含有电介质材料的硅形成中改进的空隙填充沉积 百度学术
一种离子液体中电沉积制备单质硅的方法 X技术网
根据用 途不同，再分别采用杜邦法、贝尔法或西门子法等将工业硅提纯制得单晶硅、多晶硅等，其 中包括对工业硅进行含硅化合物的制备、提纯、含硅化合物的还原或分解等繁多的步骤和 复 2022年9月9日 描述了一种将锗从基于 GeO 2的水溶液电沉积到在 n 型高掺杂 (100) 硅晶片上形成的阳极中孔硅的孔通道中的方法。 评估了沉积时间、孔道形状和多孔硅层在氢氟酸中预处理 锗电沉积到多孔硅中用于硅锗合金化,Materialia XMOL2017年5月23日 本试验主要是通过原子力学显微镜（AFM）的导电模式 CAFM 研究制备的硅薄膜的电学性质。 探索不同试验条件对硅薄膜电学性质的影响以及影响硅薄膜电学性质的因素 硅业副产物SiCl4资源化电沉积硅及其性能研究 道客巴巴2022年4月11日 电沉积是一种在温和条件下在水溶液中制造自支撑电极的有效且简便的方法。 无需聚合物粘合剂即可轻松制造，并且电催化剂的组成和形态性质具有可控性，使得电沉积方法 电沉积：一种制造电化学能量转换系统自支撑电极的有效方法 研究PECVD氮化硅薄膜的性质及工艺，探讨其在不同条件下的性能表现和应用前景。2023年6月28日 本发明属于锂离子电池负极活性物质材料，涉及一种硅碳负极材料的制备方法。背景技术： 1、传统的商业化硅碳负极材料通常利用砂磨或者球磨等方法，将微米多晶硅破碎至纳米级别后再与石墨等复合，但通常采用破碎方法只能将纳米硅破碎至100nm左右。硅碳负极材料的制备方法与流程 X技术网
张士宪 百度学术
2017 张士宪，赵晓萍，时彦林 《中小企业管理与科技》 被引量: 0 收藏 相关文章 金属基表面复合材料的制备方法 及研究现状 2017 张士宪，赵晓萍，李运刚 《热加工工艺》 被引量: 5 收藏 相关文章 高温熔盐体系的应用及研究进展 2016 张士宪，赵 2022年12月9日 在130/90/65nm乃至45nm的世代，对传统热氧化生成的氧化硅进行氮化，生成 氮氧化硅 是提高k值的一种有效方法。而且氮氧化硅在提高材料k值和降低栅极漏电的同时，还可以阻挡来自多晶硅栅内硼对器件的不利影响，工艺的整合也相对简单。纳米集成电路制造工艺第四章（电介质薄膜沉积工艺） 知 2023年12月15日 本发明提供一种电沉积制备纳米级枝晶铜粉的方法 ，属于纳米铜粉制备领域。背景技术： 1、cvd法石墨烯粉体与hummer's法石墨烯粉相比具有层数少、缺陷少的优点。但cvd法生长石墨烯所用的基底通常为比表面积较小的铜箔或泡沫铜，而很难使用比 一种电沉积制备纳米级枝晶铜粉的方法 X技术网2021年7月19日 【引言】 光电化学（PEC）水分解是一种将太阳能转化为清洁和可储存的化学能的有前途的技术。在PEC电池中，半导体在吸收来自光的光子以产生移动电荷载流子方面发挥着关键作用。其中，硅基光电极由于硅的中等带隙 (112 eV)、高电荷迁移率和 Nature子刊:基于薄膜反应和电沉积制备的硅基金属绝缘体 2013年1月15日 硅薄膜的制备主要有真空蒸镀、离子镀、溅射镀膜 和化学气相沉积（CVD）等方法[5]。本文利用低压化学气相沉积法（LPCVD），在 单晶Si（100）衬底上制备能用于半导体火工桥的 多晶硅薄膜。首先按照不同的气压、温度、沉积时LPCVD 制备多晶Si薄膜的工艺和性能分析2020年8月25日 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法。背景技术面对化石能源的日渐枯竭及其对环境的污染，探索和开发利用可持续新能源就显得尤为重要。利用太阳能光伏电池发电是一种新兴的、可再生的清洁能源，因此引起了人们的广泛关注。而在所有这些能 一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法与流程
中国科学院半导体研究所 CAS
2023年2月22日 发明人 领域 1 一种硅基电吸收调制器及其制备方法 ZL72 刘智 半导体材料制备与器件研制 2 采用 MVPE 两步法制备氧化锌透明电极的方法 ZL80 王晓峰 半导体材料制备与器件研制 3 采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂 2020年5月13日 但是由于这些方法对可制备的金属单原子或载体有一些特殊的要求，还不能实现对金属单原子和载体材料的无选择性制备。近日，中国科学技术大学曾杰 教授（点击查看介绍）课题组 利用电化学沉积技术发展出了一种制备单原子催化剂的普适性方法。中科大曾杰课题组Nature Commun：电化学沉积实现单原子 摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中 NaCl 、KCl 、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶05～1∶1∶4 5 ，加入占熔 一种电沉积硅的方法[发明专利]百度文库2024年2月28日 一种基于气相沉积方法制备硅碳负极材料的回转炉pdf,本发明公开了一种基于气相沉积方法制备硅碳负极材料的回转炉，具体涉及回转炉领域，包括金属支撑架，所述金属支撑架的顶部固定有炉管，所述炉管的外侧设置有加热炉体；本装置在使用时，实现硅碳负极材料连续化生产过程中各工艺时间段 一种基于气相沉积方法制备硅碳负极材料的回转炉pdf2017年11月2日 在电沉积过程中，溶液中的金属阳离子会沉积在与电源负极相连接的电极（阴极）表面，这一过程会产生奇特的金属结构。本影片利用显微摄影技术展示了铜、锡、锌、铅和银5种金属的电沉积过程，它 电沉积：恣意生长、优雅绽放，重新定义你对金属的印象 CVD 是一种广泛使用的硅沉积方法，其中反应气体被引入包含基板的腔室中。 基板表面发生化学反应，形成固体硅膜。 这种方法因其能够生产高纯度和均匀的薄膜而受到青睐，这对于需要精确电性能的应用至关重要。 物理气相沉积 (PVD) ： PVD 涉及硅源 什么是硅沉积工艺？主要方法和应用说明 Kintek Solution
高速微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体稳态研究*
2013年8月14日 需要较厚的本征层 提高沉积速率是一种降低生产 成本的有效方法, 然而这会引起薄膜材料质量的下 降, 导致所制备电池的转换效率降低 因此如何在 高速沉积的同时使得微晶硅薄膜保持良好的光电 性能成为微晶硅的研究热点之一[4]2024年4月3日 硅碳负极材料的制备方法有化学气相沉积（CVD）法、机械球磨法、喷雾法、镁热还原法、溶胶凝胶法以及热解法等。在众多硅碳负极材料制备方法中，因CVD制备的硅碳负极材料具有充放电效率高、循环稳定性好、对设备要求较低、适合工业化生产等优势，受到了广泛关注。负极材料“换代”？——CVD气相沉积硅碳技术锂电中国一种硅基光电器件集成方法 半导体材料制备与器件研制 8 ZL52 用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺 基于微波等离子体化学气相沉积的石墨烯制备方法 半导体材料制备与器件研制 248 ZL7X 化学气相沉积法制备的多 中国科学院半导体研究所2015年7月18日 力于这项技术的研究。硅的电沉积方法最早在1854年由Deville提出[19－21】。斯坦福大学材料研 究中心的罗伯特C．德马太等科学家提出了两种电沉积硅的方法：一种是将硅的离子液体电沉积制备单质硅的研究（PDF） 豆丁网该领域下的技术专家 如您需求助技术专家，请点此查看客服进行咨询。 1、贺老师：氮化物陶瓷、光功能晶体材料及燃烧合成制备科学及工程应用 2、杨老师：工程电磁场与磁技术，无线电能传输技术 3、许老师：1气动光学成像用于精确制导 2人工智能方法用于数据处理、预测 3故障诊 一种电泳电沉积制备碳/锗叠层复合负极材料的方法与流程 2024年3月12日 徐明生，李俊杰，陈红征，一种图形化电极、制备方法和有机太阳能电池，ZL58,授权 徐明生，陈红征，一种六角相氮化硼薄膜的制备方法， ZL29， 授权 徐明生，陈红征，一种二维硅烯薄膜及其制备方法专利 浙江大学高分子系有机半导体研究室 Zhejiang University
一种多孔硅碳复合负极材料及其制备方法和应用 X
2023年11月9日 4根据权利要求3所述的多孔碳沉积硅纳米复合材料，其特征在于，所述硅源的纯度大于999％。5一种如权利要求14任一项所述多孔硅碳复合负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将多孔碳材料与硅源通过等离 2023年8月18日 化学气相沉积 (CVD) 化学气相沉积是一种广泛应用于硅薄膜制备的方法。它涉及在高温下，将气态前驱体引入反应室，与基底表面上的活性位点发生化学反应，从而生成固态硅薄膜。CVD方法具有良好的控制性，可以在复 硅片薄膜材料的制备、特性与应用 知乎一种硅波导输出的单模硅基混合激光光源 郑婉华 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 229 ZL56 一种芯片表面污物清洁处理的方法 黄北举 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 230 ZL39中国科学院半导体研究所2021年7月13日 ALD（原子层沉积） ： 可以理解为一种变相的 CVD 工艺，通过将气相前驱体脉冲交替地 通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应形成沉积膜的一种方法。与传统 CVD 不同的是，ALD 在沉积过程中， 反应前驱体是交替沉积， 新一层原子膜的化学反应是直接与薄膜沉积工艺 知乎化学气相沉积是满足上述要求的一种强有力的方法, 已广泛应用于二维材料及其复合结构的生长制备 但是要实现多种二维材料大尺寸以至晶圆级的批量制备仍然是很困难的, 因此, 需要进一步建立对各种二维材料生长控制的系统认识 本文基于材料生长 化学气相沉积法制备大面积二维材料薄膜: 方法与机制2019年11月2日 另外，该方法还会释放大量的CO 2。电解制备硅单质是可能取代碳热还原法的低能耗低碳排放的一种炼硅方法。日本京都大学的Yasuhiko Ito教授等人曾在熔融CaCl 2 中电解SiO 2 制备单质硅，但是该方法利用碳电极作为牺牲阳极，并且反应生成的氧能与碳反应 2Angew：电解SiO2制硅新策略，大大消减碳排放 XMOL
ACS Energy Lett：硅——固态电池的新兴负极！深水科技
2022年11月10日 为了补偿内部屈服强度引起的材料变形，堆压应该高到什么程度还不清楚。内部屈服强度和外部堆压对硅负极的材料形貌、界面接触和电化学性能演化的影响需要进一步探究。降低施压的一种策略是将硅粒子引入较软的基体中，如Li2SP2S5LiI玻璃SEs和聚合物。请先登录或注册【】电沉积法制备Fe65%Si合金带的基础研究 2017年5月23日 物硅业副产物SiCl4资源化电沉积硅及其性能研究刘静静1，赵占霞1，张承龙，马忠权1（1上海大学理学院物理系，上海00444上海 因此通过电化学沉积技术在离子液体中电解硅业副产物四氯化硅制备硅薄膜是一种回收 SiCl 4 的经济有效的方法。 硅 硅业副产物SiCl4资源化电沉积硅及其性能研究 道客巴巴5 结 语 电沉积具有设备简单、尺寸可控、能耗低、可在低温下进行以及操作简单等一系列优势，也能够在不同的基底上进行电沉积，不仅能制备无定型的硅，还能以液态电极的方式制备结晶态的硅，是一种非常有发展空间和前景的制备硅基负极材料的方法。硅负极及其电沉积制备 百度文库研究PECVD氮化硅薄膜的性质及工艺，探讨其在不同条件下的性能表现和应用前景。2023年6月28日 本发明属于锂离子电池负极活性物质材料，涉及一种硅碳负极材料的制备方法。背景技术： 1、传统的商业化硅碳负极材料通常利用砂磨或者球磨等方法，将微米多晶硅破碎至纳米级别后再与石墨等复合，但通常采用破碎方法只能将纳米硅破碎至100nm左右。硅碳负极材料的制备方法与流程 X技术网
张士宪 百度学术
2017 张士宪，赵晓萍，时彦林 《中小企业管理与科技》 被引量: 0 收藏 相关文章 金属基表面复合材料的制备方法 及研究现状 2017 张士宪，赵晓萍，李运刚 《热加工工艺》 被引量: 5 收藏 相关文章 高温熔盐体系的应用及研究进展 2016 张士宪，赵 2022年12月9日 在130/90/65nm乃至45nm的世代，对传统热氧化生成的氧化硅进行氮化，生成 氮氧化硅 是提高k值的一种有效方法。而且氮氧化硅在提高材料k值和降低栅极漏电的同时，还可以阻挡来自多晶硅栅内硼对器件的不利影响，工艺的整合也相对简单。纳米集成电路制造工艺第四章（电介质薄膜沉积工艺） 知 2023年12月15日 本发明提供一种电沉积制备纳米级枝晶铜粉的方法 ，属于纳米铜粉制备领域。背景技术： 1、cvd法石墨烯粉体与hummer's法石墨烯粉相比具有层数少、缺陷少的优点。但cvd法生长石墨烯所用的基底通常为比表面积较小的铜箔或泡沫铜，而很难使用比 一种电沉积制备纳米级枝晶铜粉的方法 X技术网2021年7月19日 【引言】 光电化学（PEC）水分解是一种将太阳能转化为清洁和可储存的化学能的有前途的技术。在PEC电池中，半导体在吸收来自光的光子以产生移动电荷载流子方面发挥着关键作用。其中，硅基光电极由于硅的中等带隙 (112 eV)、高电荷迁移率和 Nature子刊:基于薄膜反应和电沉积制备的硅基金属绝缘体 2013年1月15日 硅薄膜的制备主要有真空蒸镀、离子镀、溅射镀膜 和化学气相沉积（CVD）等方法[5]。本文利用低压化学气相沉积法（LPCVD），在 单晶Si（100）衬底上制备能用于半导体火工桥的 多晶硅薄膜。首先按照不同的气压、温度、沉积时LPCVD 制备多晶Si薄膜的工艺和性能分析2020年8月25日 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法。背景技术面对化石能源的日渐枯竭及其对环境的污染，探索和开发利用可持续新能源就显得尤为重要。利用太阳能光伏电池发电是一种新兴的、可再生的清洁能源，因此引起了人们的广泛关注。而在所有这些能 一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法与流程
中国科学院半导体研究所 CAS
2023年2月22日 发明人 领域 1 一种硅基电吸收调制器及其制备方法 ZL72 刘智 半导体材料制备与器件研制 2 采用 MVPE 两步法制备氧化锌透明电极的方法 ZL80 王晓峰 半导体材料制备与器件研制 3 采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂 2020年5月13日 但是由于这些方法对可制备的金属单原子或载体有一些特殊的要求，还不能实现对金属单原子和载体材料的无选择性制备。近日，中国科学技术大学曾杰 教授（点击查看介绍）课题组 利用电化学沉积技术发展出了一种制备单原子催化剂的普适性方法。中科大曾杰课题组Nature Commun：电化学沉积实现单原子